王懿杰，IEEE Senior Member，哈爾濱工業(yè)大學教授、博士生導師，2005年、2007年與2012年于哈爾濱工業(yè)大學獲得學士、碩士和博士學位。從事照明電子、無線電能傳輸技術、高頻以及超高頻功率變換技術研究。

共發(fā)表SCI/EI檢索文章150余篇，授權發(fā)明專利16項，受理25項。曾獲中國電源學會第21、22屆學術年會優(yōu)秀論文獎，IEEE ICEMS 2019會議最優(yōu)論文獎，IEEE ITEC Asia-Pacific 2017會議最優(yōu)論文獎，IEEE ITEC Asia-Pacific 2018會議最優(yōu)論文獎、IEEE ICEMS 2018會議最優(yōu)論文獎、IEEE Transactions on Power Electronics 2018 Prize Paper Award、IEEE Transactions on Industry Applications 2018 Prize Paper Award、PCIM Asia 2015會議Young Engineer Award提名獎。

獲得國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金資助，黑龍江省優(yōu)秀青年基金資助，入選哈爾濱市青年后備人才計劃，哈工大青年拔尖人才選聘計劃以及哈工大基礎研究杰出人才III類。

擔任SCI期刊IEEE TIE、IEEE JESTPE、IEEE Access、IET PEL、JPE副主編；曾擔任SCI期刊IEEE TIE客座主編、IEEE JESTPE客座副主編以及中文核心期刊“電力電子技術”特邀主編；擔任中國電源學會理事、照明電源專業(yè)委員會副主任委員、器件專業(yè)委員會委員、青年工作委員會委員，中國電工技術學會電力電子學會理事。

電力電子領域：由于材料特性的差異，SiC適用于高于1200V的高電壓大功率應用場合，而GaN器件更適用于40-1200V的高頻應用，GaN在600V/3KW以下的應用場合更占優(yōu)勢，在微型逆變器、伺服器、馬達驅動、UPS等領域與傳統(tǒng)的MOSFET或IGBT展開競爭，讓電源產品更為輕薄、高效。

射頻領域：與目前在RF領域占統(tǒng)治地位的LDMOS器件相比，采用0.25微米工藝的GaN器件頻率可高達其4倍，帶寬可增加20%，功率密度可達8W/mm3(LDMOS為1~2W/mm3)，且無故障工作時間可達100萬小時，更耐用，綜合性能優(yōu)勢明顯，5G的商用無疑會推動GaN在射頻市場的快速發(fā)展。